[发明专利]一种基板的全距调控方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板制作技术领域，尤其涉及一种基板的全距调控方法和装置。

背景技术

在形成有任意类型器件图形的基板例如薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）阵列基板的制作工艺过程中，全距（Total Pitch，简称TP）用于标记图形在基板上的位置和形状，从而对第一层曝光制程以及最后层退火制程后基板上阵列的偏移进行监测，并为液晶盒的对盒工艺提供依据。

目前，以TFT阵列基板为例，由于薄膜晶体管（TFT）阵列基板涉及薄膜沉积制程，尤其是后续层采用的等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD）等热制程，将会使TFT阵列基板发生一定程度的形变，导致薄膜晶体管（TFT）阵列基板的最终全距变化，进一步导致在液晶盒对盒工艺中无法保证薄膜晶体管（TFT）基板与彩膜基板对盒时的精准性，对盒后效果不佳。第一层全距值的测量值在薄膜晶体管（TFT）阵列基板上的示意图如图1所示，则得到的最后层退火制程后得到的最终全距测量值与第一层全距值的测量值的对比图如图2所示，其中虚线表示图1中第一层全距值的测量值，实线表示最终全距测量值。另外，PECVD等热制程中工艺参数变更也会导致薄膜晶体管（TFT）阵列基板的全距发生变化，一般情况下，为保证薄膜晶体管（TFT）阵列基板与彩膜基板的精准对盒，需要变更彩膜工艺曝光掩膜板设计，变更过程不仅费用高昂，还将浪费大量的人力，生产效率也会受到极大的影响。

发明内容

（一）要解决的技术问题

针对上述缺陷，本发明要解决的技术问题是如何对基板的全距变化进行调整的问题。

（二）技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种基板的全距调控方法，包括：

S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

S2、根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；

S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。

进一步地，所述方法还包括：

S4、将完成所述第一次曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进行步骤S5；

S5、将所述全距误差值作为S2中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为S2中所述的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

进一步地，在所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值的情况中，在进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则所述方法还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

进一步地，所述全距误差值为±3μm。

进一步地，所述全距变化值通过以下方式获得：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值。

进一步地，所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S2中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

进一步地，所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一次曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一次曝光工艺的基板的全距误差值。

进一步地，所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S5中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

进一步地，所述全距变化值为所述实际全距值与所述期望全距值得到的差值。

进一步地，所述对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：在所述第一层全距初始基准坐标上加或减所述差值。