[发明专利]沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201310353828.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104377133B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈兆同;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，公开了一种沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法。该方法通过一次光刻工艺和自对准制程分别形成沟槽型DMOS晶体管的沟槽和接触孔，进一步降低了DMOS晶体管的尺寸，从而大大减小了DMOS器件的导通电阻，提高了DMOS器件的驱动能力。同时，相同面积形成的晶体管数量增加，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的基底上形成第二导电类型的体区层和第一导电类型的源极层，并在所述源极层上形成图案化的阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极以及图案化的第一氧化层；以所述第一氧化层为掩膜，形成接触孔；所述阻挡层为抗氧化阻挡层；所述以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极以及图案化的第一氧化层的步骤具体包括：以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极；对所述沟槽栅极进行氧化处理，形成图案化的第一氧化层，所述第一氧化层的图案的宽度大于所述沟槽栅极的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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