[发明专利]发光二极管及发光二极管制造方法有效
| 申请号： | 201310352606.7 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104377284B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括蓝宝石基板，其表面形成有多个凸起。蓝宝石基板的具有凸起的表面上形成有未掺杂的GaN层。多个碳纳米管覆盖在未掺杂的GaN层的表面上，且相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面。N型GaN层形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管。活性层以及P型GaN层依次形成在N型GaN层表面。所述碳纳米管可使到N型GaN层形成侧向生长，从而降低N型GaN层中的晶体缺陷。同时，由于碳纳米管的电阻率小于N型GaN层，其可使电流迅速扩散到N型GaN层的各个区域，从而提高了其的电流扩散性能。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：蓝宝石基板，包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面，蓝宝石基板的第一表面形成有多个凸起；未掺杂的GaN层，形成在蓝宝石基板的第一表面；多个碳纳米管，覆盖在未掺杂的GaN层的表面，相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面；N型GaN层，形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管，所述N型GaN层与所述碳纳米管周缘直接接触；活性层，形成在N型GaN层表面；P型GaN层，形成在活性层表面；以及蚀刻平台，所述蚀刻平台从P型GaN层延伸至N型GaN层以暴露出N型GaN层的部分表面，P型GaN层的表面形成有P型电极，N型GaN层的暴露的表面形成有N型电极，所述N型电极的底部与位于N型电极下方的碳纳米管的顶部之间的距离在0.3μm‑0.5μm范围内。
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