[发明专利]一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用有效
| 申请号： | 201310351839.5 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104377114B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李振军;白冰;杨晓霞;王小伟;许应瑛;戴庆;裘晓辉 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 生长 方法 复合材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种锗量子点的生长方法，其特征在于，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点；所述方法包括如下步骤：(1)提供一基底，清洗除去基底上的污染物；(2)在步骤(1)所述基底上形成石墨烯层；(3)在步骤(2)所述石墨烯层上形成锗薄膜；(4)将步骤(3)得到的依次形成有石墨烯层和锗薄膜的基底进行退火，生长锗量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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