[发明专利]一种降低MOSFET开关损耗的新型控制方法在审
| 申请号： | 201310351679.4 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103595253A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | M·特莱福斯;李为 | 申请（专利权）人： | 弗莱克斯电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张臻贤 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种控制开关模式功率变换器的方法，通过强制主开关两端的电压为零而使能够实现零电压开关。其能通过感测当在该功率变换器的次级侧的电流何时下降至零或其他阀值时，并且然后作为响应产生流过次级绕组的负序电流而实现。负序次级电流导致初级绕组中相应的放电电流，其降低主开关两端的电压。监控主开关两端的电压，从而当该电压达到零或其他阀值时，主开关被导通。以此方式，电路作为双向电流电路工作，其中正向电流传输能量至负载并且反向电流提供控制以降低主开关两端的电压，以使得能够实现零电压开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 mosfet 开关 损耗 新型 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种控制开关模式功率变换器的方法，包括：a.配置开关模式功率变换器，所述开关模式功率变换器具有变压器、耦合至所述变压器的次级绕组的输出电路、以及耦合至所述变压器的初级绕组的开关；b.确定所述输出电路中的阀值条件，针对所述阈值条件，所述开关将被导通；c.响应于确定所述阈值条件，使能流过所述变压器的所述次级绕组的负序次级电流，其中所述负序次级电流产生流过所述初级绕组的相应的放电电流，而且其中所述放电电流降低所述开关两端的电压；d.确定所述开关两端的所述电压何时下降至阀值；以及e.一旦所述电压下降至所述阀值，将所述开关导通。
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