[发明专利]一种降低MOSFET开关损耗的新型控制方法

权利要求书

1.一种控制开关模式功率变换器的方法，包括：

a.配置开关模式功率变换器，所述开关模式功率变换器具有变压器、耦合至所述变压器的次级绕组的输出电路、以及耦合至所述变压器的初级绕组的开关；

b.确定所述输出电路中的阀值条件，针对所述阈值条件，所述开关将被导通；

c.响应于确定所述阈值条件，使能流过所述变压器的所述次级绕组的负序次级电流，其中所述负序次级电流产生流过所述初级绕组的相应的放电电流，而且其中所述放电电流降低所述开关两端的电压；

d.确定所述开关两端的所述电压何时下降至阀值；以及

e.一旦所述电压下降至所述阀值，将所述开关导通。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述开关包括晶体管，并且所述放电电流对所述晶体管的寄生电容放电，因此降低所述晶体管两端的所述电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述阀值大致上为零伏特，因此实现零电压开关。

4.如权利要求1所述的方法，还包括感测流过所述变压器的所述次级绕组的次级电流的值，其中所述输出电路中的所述阀值条件对应于所述次级电流的值从正值变为零。

5.如权利要求4所述的方法，其中使能所述负序次级电流包括产生驱动信号以使能所述负序次级电流，其中所述驱动信号包括在所述次级电流从正值变为零后的延迟。

6.如权利要求1所述的方法，其中使能所述负序次级电流包括使能从所述输出电路中的输出电容器到所述次级绕组的可替换电流路径。

7.如权利要求6所述的方法，其中当使能所述可替换电流路径时，根据从所述输出电容器的放电产生所述负序次级电流。

8.如权利要求6所述的方法，其中使能所述可替换电流路径包括将所述可替换电流路径内的第二开关导通。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述开关模式功率变换器被配置为反激式功率变换器电路、正向式功率变换器电路、推挽式功率变换器电路、半桥式功率变换器电路和全桥式功率变换器电路之一。

10.一种控制开关模式功率变换器的方法，包括：

a.配置开关模式功率变换器，所述开关模式功率变换器具有变压器、耦合至所述变压器的次级绕组的输出电路、以及耦合至所述变压器的初级绕组的开关，其中所述功率变换器电路被配置为当所述开关导通并且正序初级电流流过所述初级绕组时，在所述初级绕组中存储能量，并且当所述开关关断并且正序次级电流流过所述次级绕组时，从所述初级绕组向所述输出电路传输所存储的能量；

b.当所述开关关断时感测所述次级电流以确定所述次级电流何时从正下降至零；

c.根据确定了所述次级电流从正下降至零，使能流过所述次级绕组的负序次级电流，其中所述负序次级电流产生流过所述初级绕组的相应的负序初级电流，而且其中所述负序初级电流降低所述开关两端的电压；

d.确定所述开关两端的所述电压何时下降至阀值；以及

e.一旦所述电压下降至所述阀值，将所述开关导通。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述开关包括晶体管，并且所述负序初级电流对所述晶体管的寄生电容放电，因此降低所述晶体管两端的所述电压。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述阀值大致上为零伏特，因此实现零电压开关。

13.如权利要求10所述的方法，其中使能所述负序次级电流包括使能从所述输出电路中的输出电容器到所述次级绕组的可替换电流路径。

14.如权利要求13所述的方法，其中当使能所述可替换电流路径时，根据从所述输出电容器的放电产生所述负序次级电流。

15.如权利要求13所述的方法，其中使能所述可替换电流路径包括将所述可替换电流路径内的第二开关导通。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述功率变换器电路被配置为反激式变换器电路。

17.如权利要求10所述的方法，其中使能所述负序次级电流包括产生驱动信号以使能所述负序次级电流，其中所述驱动信号包括在所述次级电流从正值下降至零后的延迟。