[发明专利]覆晶式LED芯片在审
| 申请号： | 201310350075.8 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103904184A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴裕朝;吴冠伟;刘艳 | 申请（专利权）人： | 东莞市正光光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 | 代理人： | 方志炜 |
| 地址： | 广东省东莞市虎门*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种覆晶式LED芯片，包括：基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中水平方向为与基板的正面平行的方向，隔离区在基板的正面上的垂直投影位于正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间，隔离区在水平方向上的中心线与覆晶式LED芯片在水平方向上的中轴线重叠，且隔离区在水平方向上的宽度不超过覆晶式LED芯片在水平方向上的宽度的三分之一。本发明实施例的覆晶式LED芯片的隔离区具有较适宜的宽度，在实现正电极和负电极的隔离的同时，不仅能够获得较高的发光效果，还能够有效避免在芯片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种覆晶式LED芯片，其特征在于，包括：基板；以及沿水平方向依次设置在所述基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中，所述水平方向为与所述基板的正面平行的方向，所述隔离区在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正电极和负电极在所述基板的正面上的垂直投影之间，所述隔离区在所述水平方向上的中心线与所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的中轴线重叠，且所述隔离区在所述水平方向上的宽度不超过所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的宽度的三分之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市正光光电科技有限公司，未经东莞市正光光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310350075.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
