[发明专利]一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺有效
申请号: | 201310348986.7 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN103400901A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 汪昭辉;郭文林;庞益静;张盛杰;杨健;张旭 | 申请(专利权)人: | 江苏宇兆能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 初学平 |
地址: | 215431 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺,包括如下步骤:步骤1:将硅片置于富HNO3的HF和HNO3的混合溶液中进行一次腐蚀;步骤2:将一次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡;步骤3:使用去离子水对经步骤2浸泡后的硅片进行冲洗;步骤4:将硅片置于富HF的HF和HNO3的混合溶液中进行二次腐蚀;步骤5:将二次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡,去除多孔硅;步骤6:用大量去离子水对经步骤5浸泡后的硅片进行冲洗,烘干;步骤7:将硅片置于HF和HCL的混合溶液中浸泡,去除氧化层和金属离子;步骤8:将硅片用去离子水冲洗干净后烘干。使用本发明首先在富HNO3体系中对硅片进行一次腐蚀,再在富HF体系中进行二次腐蚀,不但能够节约成本,而且制绒均匀稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面 二次 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺,其特征在于,采用HF和HNO3的混合溶液对硅片进行两次各向同性腐蚀,包括如下步骤:步骤1:将硅片置于富HNO3的HF和HNO3的混合溶液中进行一次腐蚀;步骤2:将一次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡;步骤3:使用去离子水对经步骤2浸泡后的硅片进行冲洗;步骤4:将硅片置于富HF的HF和HNO3的混合溶液中进行二次腐蚀;步骤5:将二次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡,去除多孔硅;步骤6:用大量去离子水对经步骤5浸泡后的硅片进行冲洗,烘干;步骤7:将硅片置于HF和HCL的混合溶液中浸泡,去除氧化层和金属离子;步骤8:将硅片用去离子水冲洗干净后烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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