[发明专利]一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺有效
申请号: | 201310348986.7 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN103400901A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 汪昭辉;郭文林;庞益静;张盛杰;杨健;张旭 | 申请(专利权)人: | 江苏宇兆能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 初学平 |
地址: | 215431 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面 二次 腐蚀 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池表面的处理工艺,特别涉及一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺。
背景技术
在太阳能电池表面的处理中,制绒是将硅表面进行预清洗并用强碱或强酸腐蚀成类似金字塔状或蜂窝状结构的过程。制绒的作用是去除损伤层,形成减反射绒面(陷光结构),制绒的目的是利用陷光原理,增加光的吸收,提高短路电流,增加PN结的面积。为此,人们尝试了许多新的制绒工艺,这些方法都可以得到较好的绒面效果,但却存在各种不足。机械刻槽由于刻槽深度较大,对硅片厚度要求较高,不适用于薄衬底太阳电池,变相提高了成本;蜂窝绒面结构技术虽然具备出色的陷光效果,但工艺复杂不适合工业化生产;电化学腐蚀法在大面积硅片上的制绒均匀性不稳定。因此低成本的制绒均匀的稳定的化学腐蚀方法一直是光伏工业界的首选。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供低成本的且制绒均匀的稳定的太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺。
为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺,采用HF和HNO3的混合溶液对硅片进行两次各向同性腐蚀,包括如下步骤:
步骤1:将硅片置于富HNO3的HF和HNO3的混合溶液中进行一次腐蚀;
步骤2:将一次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡;
步骤3:使用去离子水对经步骤2浸泡后的硅片进行冲洗;
步骤4:将硅片置于富HF的HF和HNO3的混合溶液中进行二次腐蚀;
步骤5:将二次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡,去除多孔硅;
步骤6:用大量去离子水对经步骤5浸泡后的硅片进行冲洗,烘干;
步骤7:将硅片置于HF和HCL的混合溶液中浸泡,去除氧化层和金属离子;
步骤8:将硅片用去离子水冲洗干净后烘干。
优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤7中,HF和HCL的混合溶液配比为:HF:HCL:H2O=1:1:5,浸泡时间:2—5分钟。
更优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述浸泡时间为3分钟。
优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤1中,HF和HNO3的混合溶液配比为1:7≤HF:HNO3≤1:3,腐蚀温度:15-25℃,腐蚀时间:1—4分钟。
更优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤1中,HF和HNO3的混合溶液配比为HF:HNO3=1:5,腐蚀温度:19℃,腐蚀时间:2分钟。
优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤4中,HF和HNO3的混合溶液配比为80:1≤HF:HNO3≤30:1,腐蚀温度:15-25℃,腐蚀时间:2—5分钟。
更优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤4中,HF和HNO3的混合溶液配比为HF:HNO3=50:1,腐蚀温度:19℃,腐蚀时间:3分钟。
优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤2和步骤5中的NaOH溶液的浓度小于1%,浸泡时间为20—50秒。
更优选地,在上述太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺中,所述步骤2和步骤5中的NaOH溶液的浓度为0.5%,浸泡时间为30秒。
本发明提供的太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺,首先在富HNO3体系中对硅片进行一次腐蚀,再在富HF体系中进行二次腐蚀,不但能够节约成本,而且制绒均匀稳定。
附图说明
图1为一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合实施例及附图,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
如图1所示,本发明实施例提供的太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺包括如下工艺流程:
步骤1:将硅片置于富HNO3的HF和HNO3的混合溶液中进行一次腐蚀;
步骤2:将一次腐蚀后的硅片置于NaOH溶液中浸泡;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的