[发明专利]薄膜晶体管结构

摘要

本发明是有关于一种薄膜晶体管结构，包括基板、栅极、氧化物半导体层、栅绝缘层、源极、漏极、硅质吸光层以及绝缘层。栅绝缘层配置于氧化物半导体层与栅极之间。氧化物半导体层与栅极在厚度方向上堆叠。源极与漏极都配置于基板上并接触氧化物半导体层。氧化物半导体层的一部分没有被源极与漏极接触而定义出通道区，且通道区位于源极与漏极之间。氧化物半导体层位于基板与硅质吸光层之间。硅质吸光层的能隙小于2.5eV。绝缘层配置于氧化物半导体层与硅质吸光层之间，且绝缘层与硅质吸光层彼此接触。借由本发明，能够提高薄膜晶体管的元件特性。

主权项

一种薄膜晶体管结构，其特征在于其包括：基板；栅极，配置于该基板上；氧化物半导体层，配置于该基板上，与该栅极在厚度方向上堆叠；栅绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该栅极之间；源极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层；漏极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层，该氧化物半导体层的一部分没有被该源极与该漏极接触而定义出通道区，且该通道区位于该源极与该漏极之间；硅质吸光层，与该氧化物半导体层在该厚度方向上堆叠，且该氧化物半导体层位于该基板与该硅质吸光层之间，其中该硅质吸光层的能隙小于2.5eV；以及绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该硅质吸光层之间，且该绝缘层与该硅质吸光层彼此接触，其中该绝缘层具有暴露出该漏极的接触窗，且该硅质吸光层延伸至该接触窗中以与该漏极接触。