[发明专利]薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于其包括：

基板；

栅极，配置于该基板上；

氧化物半导体层，配置于该基板上，与该栅极在厚度方向上堆叠；

栅绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该栅极之间；

源极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层；

漏极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层，该氧化物半导体层的一部分没有被该源极与该漏极接触而定义出通道区，且该通道区位于该源极与该漏极之间；

硅质吸光层，与该氧化物半导体层在该厚度方向上堆叠，且该氧化物半导体层位于该基板与该硅质吸光层之间，其中该硅质吸光层的能隙小于2.5eV；以及

绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该硅质吸光层之间，且该绝缘层与该硅质吸光层彼此接触，其中该绝缘层具有暴露出该漏极的接触窗，且该硅质吸光层延伸至该接触窗中以与该漏极接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该源极与该漏极位于该绝缘层与该栅绝缘层之间。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该硅质吸光层的材质包括掺杂硅。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其更包括保护层，该栅极、该氧化物半导体层、该栅绝缘层、该源极、该漏极、该绝缘层与该硅质吸光层都位于该基板与该保护层之间。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该掺杂硅的掺质包括硼或磷。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该绝缘层与该硅质吸光层具有相同的轮廓。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该绝缘层更接触于该氧化物半导体层。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该源极与该漏极各自部分的位于该硅质吸光层的远离于该基板的一侧。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该硅质吸光层的材质包括非晶硅、多晶硅、微晶硅或其组合。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该硅质吸光层的材质更包括氢、氧、氮、氟、碳或其组合。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该氧化物半导体层的材质包括氧化锌、氧化铟镓锌、氧化镓锌、氧化锌锡、氧化铟锌或其组合。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该源极与该漏极位于该氧化物半导体层与该栅绝缘层之间。