[发明专利]MEMS圆片级真空封装方法及结构

摘要

本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装方法，该方法包括以下步骤：制作芯片圆片，芯片圆片包括：基底、MEMS、位于MEMS外围的第一焊料环、形成在第一焊料环之外的电极，其中MEMS和电极通过基底表面的连接层相连；制作盖板圆片，盖板圆片的正面包括与MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环，盖板圆片的背面包括与最终制备器件的边缘对应的第一划片标记，和与最终制备相邻MEMS器件中间对应的第二划片标记；将芯片圆片与盖板圆片对准并键合；以及沿着第一划片标记划断盖板圆片，沿第二划片标记划断盖板圆片和芯片圆片。本方法具有密封性好、电极引出方便、工艺简便易行的优点。本发明还公开了一种MEMS圆片级真空封装结构。

主权项

一种MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤:制作芯片圆片，其中，所述芯片圆片包括：基底、形成位于所述基底之上的MEMS、形成所述基底之上并位于所述MEMS外围的第一焊料环、形成在所述第一焊料环之外的电极，其中所述MEMS和所述电极通过位于所述基底表面的连接层相连；制作盖板圆片，其中，所述盖板圆片的正面包括：与所述MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与所述第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环，所述盖板圆片的背面包括：第一划片标记和第二划片标记，所述第一划片标记与最终制备器件的边缘对应，所述第二划片标记位于所述最终制备相邻MEMS器件的之间位置；将所述芯片圆片与所述盖板圆片对准并键合，其中，所述第一焊料环与所述第二焊料环对准，所述MEMS与所述凹腔对准；以及沿着所述第一划片标记划断所述盖板圆片，沿着所述第二划片标记划断所述盖板圆片和芯片圆片。