[发明专利]非易失性存储器件和编程方法有效

专利信息
申请号: 201310343797.0 申请日: 2013-08-08
公开(公告)号: CN103578551B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 郭东勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/24;G11C16/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了非易失性存储器件和编程方法,非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列。一种用于非易失性存储器的编程方法包括:接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对第一数据进行分割从而生成已分割第一数据;将已分割第一数据作为单比特数据编程到多个物理页;以及接收第二数据并且将第二数据作为多比特数据编程到所述多个物理页当中的所选物理页,其中第二数据被同时编程到所选物理页的多层级存储单元。
搜索关键词: 非易失性存储器 编程 方法
【主权项】:
1.一种用于非易失性存储器的编程方法,所述非易失性存储器包括设置在物理页中的存储单元的存储单元阵列,所述物理页与连接到所述存储单元阵列的相应字线的存储单元对应,其中每一个存储单元存储多达N个比特的数据,N是大于2的整数,所述N个比特包括最低有效位、至少一个中心有效位和最高有效位,所述方法包括步骤:接收第一数据并且根据所述存储单元的物理页的单比特页容量对所述第一数据进行分割从而生成已分割第一数据;将所述已分割第一数据作为最低有效位数据分别编程到所述物理页;接收第二数据并且根据单个物理页的剩余比特容量对所述第二数据进行划分从而生成已划分第二数据;以及将所述已划分第二数据作为中心有效位数据和最高有效位数据编程到所述第一数据作为最低有效位数据被编程到的物理页当中的所选物理页,其中所述已划分第二数据被同时编程到所选物理页,其中,所选物理页与各字线中的所选字线连接。
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