[发明专利]非易失性存储器件和编程方法

权利要求书

1.一种用于非易失性存储器的编程方法，所述非易失性存储器包括设置在物理页中的存储单元的存储单元阵列，所述物理页与连接到所述存储单元阵列的相应字线的存储单元对应，其中每一个存储单元存储多达N个比特的数据，N是大于2的整数，所述N个比特包括最低有效位、至少一个中心有效位和最高有效位，所述方法包括步骤：

接收第一数据并且根据所述存储单元的物理页的单比特页容量对所述第一数据进行分割从而生成已分割第一数据；

将所述已分割第一数据作为最低有效位数据分别编程到所述物理页；

接收第二数据并且根据单个物理页的剩余比特容量对所述第二数据进行划分从而生成已划分第二数据；以及

将所述已划分第二数据作为中心有效位数据和最高有效位数据编程到所述第一数据作为最低有效位数据被编程到的物理页当中的所选物理页，其中所述已划分第二数据被同时编程到所选物理页，

其中，所选物理页与各字线中的所选字线连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中，所述已分割第一数据被存储在相应物理页的多个最低有效位逻辑页内。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其中，将所述已划分第二数据编程到仅所选物理页中的至少一个中心有效位逻辑页和最高有效位逻辑页中，

其中，所述第一数据的数据大小与所述第二数据的数据大小相同。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中，所述存储单元阵列是三维存储单元阵列，其包括：

多个单元串，每一个单元串在第一方向上延伸；

在第三方向上延伸的多条位线；以及

在第二方向上延伸的所述字线。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的编程方法，其中，所述多个物理页当中的每一个物理页的存储单元共同由所述多条字线的其中之一控制，并且被共同布置在所述三维存储单元阵列内的相同高度。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器的编程方法，其中，每一个单元串连接到所述多条位线的其中之一，并且包括串联设置在串选择晶体管与接地选择晶体管之间的多个存储单元，

所述多个存储单元当中的每一个分别由所述多条字线的其中之一控制，每一个串选择晶体管由串选择线控制，每一个接地选择晶体管由接地选择线控制。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的编程方法，其中，所述多个物理页当中的每一个由一条串选择线选择。

8.根据权利要求4所述的非易失性存储器的编程方法，其中，每一个存储单元是电荷捕获闪速存储单元。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中，将所述已划分第二数据作为中心有效位数据和最高有效位数据编程到所选物理页包括递增步长脉冲编程。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其中，在不对所选物理页执行中间擦写操作的情况下，将所述已分割第一数据作为最低有效位数据分别编程到物理页以及将所述已划分第二数据作为中心有效位数据和最高有效位数据编程到所选物理页。