[发明专利]性能增强的背面感测生物场效应晶体管在审
| 申请号： | 201310342244.3 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104051512A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;刘怡劭;赖飞龙;林威成;廖大传;杨健国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 增强 背面 生物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种生物场效应晶体管（BioFET）器件，包括：衬底；晶体管结构，在所述衬底中具有位于源极区、漏极区以及有源区上方的栅极结构，所述有源区包括沟道区和处理层；隔离层，位于所述衬底的与所述栅极结构相对的侧面上，所述隔离层在所述晶体管结构的所述有源区处具有开口；以及介电层，位于所述开口中。
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