[发明专利]性能增强的背面感测生物场效应晶体管

权利要求书

1.一种生物场效应晶体管（BioFET）器件，包括：

衬底；

晶体管结构，在所述衬底中具有位于源极区、漏极区以及有源区上方的栅极结构，所述有源区包括沟道区和处理层；

隔离层，位于所述衬底的与所述栅极结构相对的侧面上，所述隔离层在所述晶体管结构的所述有源区处具有开口；以及

介电层，位于所述开口中。

2.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述处理层是轻掺杂层。

3.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述处理层包括掺杂类型与所述沟道区中的掺杂物相反的掺杂物。

4.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述处理层包括氢。

5.根据权利要求1所述的BioFET器件，进一步包括：金属冠结构，位于所述隔离层上方并且至少部分地覆盖所述开口的侧壁。

6.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述介电层包括氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化锡或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的BioFET器件，进一步包括：

设置在所述隔离层上的射流沟道。

8.根据权利要求1所述的BioFET器件，进一步包括：

多层互连件（MLI），在所述衬底中设置在所述衬底的与所述栅极结构相同的侧面上。

9.一种制造BioFET器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成晶体管，其中，所述晶体管包括形成在所述半导体衬底的第一侧面上的栅极结构和介于源极区和漏极区之间的有源区；

在设置在所述半导体衬底的第二侧面上的隔离层中蚀刻开口，所述开口暴露所述晶体管的有源区；

通过所述开口的底部，将掺杂物嵌入所述晶体管的有源区中以形成处理层；以及

在所述处理层上沉积介电层。

10.一种器件，包括：

多个第一BioFET，每个所述第一BioFET都包括：

有源区，位于源极区和漏极区之间以及栅极结构下方，所述有源区包括沟道区和第一处理层，并且所述沟道区邻接所述栅极结构；和

介电层，设置在所述第一处理层的与所述沟道区相对的侧面上；

其中，所述第一处理层包括第一浓度的第一掺杂物；以及多个第二BioFET，每个所述第二BioFET都包括：

有源区，位于源极区和漏极区之间以及栅极结构下方，所述有源区包括沟道区和第二处理层，并且所述沟道区邻接所述栅极结构；和

介电层，设置在所述第二处理层的与所述沟道区相对的侧面上；

其中，所述第二处理层包括第二浓度的第二掺杂物。