[发明专利]芯片切割方法及芯片封装方法有效
申请号: | 201310335423.4 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103413785B | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 朱海青;石磊;王洪辉 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种芯片切割方法及芯片封装方法,所述芯片封装方法,包括:提供至少两个芯片结构,所述芯片结构包括芯片和至少位于芯片侧壁的绝缘层,所述芯片结构的绝缘层的侧壁具有导电槽,将所述芯片结构堆叠设置且不同芯片结构的导电槽位置相对应;在所述导电槽内填充导电胶,利用所述导电胶将不同的芯片结构中的电路电学连接。由于所述导电槽形成在绝缘层的侧壁,因此形成在所述导电槽内的导电胶不会与芯片直接接触,不会发生电路短路;且由于所述导电槽与接触焊盘之间通过位于绝缘层表面的金属互连层相连接,所述绝缘层不会影响芯片中其他金属互连结构的版图设计,可以节省金属互连结构所占据的芯片面积,有利于提高芯片的器件集成度。 | ||
搜索关键词: | 芯片 切割 方法 封装 | ||
【主权项】:
一种芯片切割方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆包括若干芯片和位于芯片之间的切割道,所述芯片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,且芯片的第一表面具有接触焊盘;在所述芯片第二表面对应的晶圆表面贴上第一划片膜;沿着切割道对晶圆进行第一切割,在不同芯片之间形成贯穿整个晶圆厚度的沟槽;在所述沟槽内形成绝缘层;在沟槽对应的绝缘层内形成贯穿所述绝缘层的通孔,直到暴露出第一划片膜,所述通孔的位置与接触焊盘的位置相对应,所述通孔的数量与接触焊盘的数量相对应;在所述接触焊盘表面、绝缘层表面和通孔侧壁表面形成金属互连层,利用所述金属互连层使得接触焊盘和通孔侧壁相连接;沿着所述通孔的中心点对所述沟槽内的绝缘层进行第二切割,所述晶圆被切割成分立的芯片结构,且所述通孔被第二切割后在所述芯片结构的侧壁形成导电槽,其中,所述至少两个芯片结构堆叠封装时,利用所述导电槽将不同芯片结构中的电路电学连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造