[发明专利]一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池在审
申请号: | 201310332313.2 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103367472A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王强;花国然;邓洁 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | T型顶电极背反射薄膜太阳电池,透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱,使顶电极局部形成T型结构,凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包,对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。本发明顶电极深入薄膜内,提高电极对电流的收集能力;电极上后续淀积的薄膜材料形成弧形鼓包,增加了薄膜电池的面积,增加了电池的受光面;金属底电极具有凹面镜结构的背反射面,增加了电池对反射光的利用,从而提高了电池对光的吸收和利用,进一步提高电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 反射 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池,从上至下包括依次连接的透明顶电极、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜、底电极,其特征在于:所述透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱,使顶电极局部形成T型结构,所述凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包,对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的