[发明专利]一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池

权利要求书

1. 一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池，从上至下包括依次连接的透明顶电极、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜、底电极，其特征在于：所述透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，所述凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。

2. 根据权利要求1所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池，其特征在于：所述P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜的厚度均匀。

3. 根据权利要求2所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池，其特征在于：所述透明顶电极为TCO玻璃，透明顶电极的导电薄膜和透明导电过渡薄膜为掺氟氧化锌或氧化铟硒的薄膜，所述底电极为铝或银材料制成的面状金属电极。

4. 根据权利要求2所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池，其特征在于：所述凸棱的高宽比为1：3～1：2，凸棱之间互相平行，凸棱的间距范围为：1-2um，高度范围为：100-300nm。

5. 根据权利要求2所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池，其特征在于：所述P型非晶硅薄膜中硼元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³的；所述本征非晶硅薄膜中无杂质掺杂，所述N型非晶硅薄膜中磷元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³，所述P型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm，本征非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：0.5-1um，N型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm。

6. 一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺，其特征在于包括如下步骤：

第1步、制备平板式透明顶电极；

第2步、透明顶电极表面制备若干条状透明导电凸棱，该凸棱与透明顶电极形成T型结构；

第3步、在透明顶电极表面逐次淀积厚度均匀的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜，使P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜在凸棱对应区域向外凸起形成条状鼓包；

第4步、在透明导电过渡薄膜表面淀积底电极，所述底电极与透明导电过渡薄膜的接触面形成若干与所述凸棱一一对应的弧形反射面。

7. 根据权利要求6所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池的制造工艺，其特征在于：所述第2步中，将开有若干长条形窗口的掩模覆盖于平板式透明顶电极表面，并对掩模的窗口进行掺氟氧化锌或氧化铟硒的透明材料二次淀积，获得与透明顶电极材质相同的凸棱，使顶电极局部形成T型结构。

8. 根据权利要求6所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池的制造工艺，其特征在于：所述第1步中，在平板玻璃表面采用磁控溅射法制备掺氟氧化锌或氧化铟硒的导电薄膜，形成透明顶电极；第2、第3步中，分别采用磁控溅射法制备掺氟氧化锌或氧化铟硒的凸棱、透明导电过渡薄膜。

9. 根据权利要求6所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池的制造工艺，其特征在于：第4步中，底电极是通过磁控溅射铝或银在透明导电过渡薄膜上形成导电的铝薄膜或银薄膜。

10. 根据权利要求9所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池的制造工艺，其特征在于：第3步中，所述P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜都采用等离子化学增强气相沉积仪进行的淀积。