[发明专利]进气装置无效
申请号: | 201310330630.0 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN103361634A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 谭华强;乔徽;林翔;苏育家 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种进气装置。所述进气装置包括第一气体腔室和第二气体腔室,所述第一气体腔室位于第二气体腔室下方,所述第一气体腔室与第一气体通道相连通,所述第一气体通道用于将来自第一气体腔室的反应气体输送至反应区域,所述第二气体腔室与第二气体通道相连通,所述第二气体通道用于将来自第二气体腔室的反应气体输送至反应区域,每个所述第一气体通道内至少设置有一个所述第二气体通道并贯穿所述出气面,所述第一气体通道的沿平行所述出气面的截面形状为圆形、条形或扇形。这种结构使得制作难度有了明显的降低,也能够有效的降低由于预反应而产生的颗粒堵塞等状况的发生。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种进气装置,用于MOCVD工艺,以向反应区域提供反应气体,所述进气装置面向反应区域的一面为出气面;其特征在于,包括第一气体腔室和第二气体腔室,所述第一气体腔室位于第二气体腔室下方,所述第一气体腔室与第一气体通道相连通,所述第一气体通道用于将来自第一气体腔室的反应气体输送至反应区域,所述第二气体腔室与第二气体通道相连通,所述第二气体通道用于将来自第二气体腔室的反应气体输送至反应区域,每个所述第一气体通道内至少设置有一个所述第二气体通道并贯穿所述出气面,所述第一气体通道的沿平行所述出气面的截面形状为圆形、条形或扇形。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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