[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310325729.1 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347374A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶面上沉积多晶硅层；沉积保护层，保护层覆盖在多晶硅层的顶面上；刻蚀保护层和多晶硅层，形成栅极基体块；形成氧化层，氧化层覆盖栅极基体块和半导体衬底；通过机械化学研磨将氧化层研磨至栅极基体块顶面；去除栅极基体块顶部的保护层；在栅极基体块上形成金属硅化物层。半导体制造方法，通过现在多晶硅层上形成保护层然后再形成氧化层、并通过CMP工艺研磨该氧化层，避免了研磨对多晶硅层造成损坏，从而避免了栅极电阻及开启电压变化，保证了最终形成LDMOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的顶面具有栅极氧化层；在所述栅极氧化层上沉积多晶硅层；沉积保护层，所述保护层覆盖在所述多晶硅层的顶面上；刻蚀所述保护层和多晶硅层，形成栅极基体块，所述栅极基体块由顶至底依次为刻蚀后余下的所述保护层和所述多晶硅层；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述栅极基体块和所述半导体衬底；通过机械化学研磨CMP将所述氧化层研磨至所述栅极基体块顶面；去除所述栅极基体块顶部的所述保护层；在已去除所述保护层的所述栅极基体块上形成金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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