[发明专利]一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法

摘要

本发明提供一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法，包括在形成有金属塞的晶片表面形成金属层，经刻蚀，使其形成多个彼此间隔的金属区；进行平坦化处理；形成金属测试层；局部刻蚀金属测试层，使其形成具有多道弯折的蛇形金属测试区，所形成的蛇形金属测试区位于与金属区间隔处相对应的位置上，并且使蛇形金属测试区的两端分别与未刻蚀的金属测试层连接，形成试样金属测试层；分别检测试样金属测试层和对照金属测试层的电参数，通过两者电参数值之间的接近程度来评估晶片的平坦程度。本发明在制备CMOS器件过程中即可将平坦程度较差的芯片报废，从而避免进行后续的封装测试或者器件在后续应用中失效而带来更大的危害或造成更大的损失。

主权项

一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法，包括如下步骤：在形成有金属塞的晶片表面形成金属层，刻蚀所述金属层，使其形成多个彼此间隔的金属区；对形成所述金属区的晶片进行平坦化处理；在经所述平坦化处理的晶片表面形成金属测试层；局部刻蚀所述金属测试层，使其形成具有多道弯折的蛇形金属测试区，所形成的蛇形金属测试区位于与所述金属区间隔处相对应的位置上，并且使所述蛇形金属测试区的两端分别与未刻蚀的金属测试层连接，形成试样金属测试层；以在非金属平面表面形成的相同的试样金属测试层作为对照金属测试层，分别检测所述试样金属测试层和所述对照金属测试层的电参数，通过两者电参数值之间的接近程度来评估经所述平坦化处理的晶片的平坦程度，所述对照金属测试层的形成方法包括：在相同的形成有金属塞的晶片表面形成相同的金属层；对形成所述金属层的晶片进行相同的平坦化处理，形成所述非金属平面；在所述非金属平面的表面形成相同的金属测试层；局部刻蚀所述金属测试层，使其在与所述试样金属测试层相同的位置上形成相同的蛇形金属测试区，形成对照金属测试层，所述平坦化处理具体为SOG平坦化，其包括：在形成所述金属区的晶片表面形成第一介电层；在所述介电层上旋涂含有介电材料的液态溶剂，经热处理，形成SOG层；在所述SOG层表面形成第二介电层。