[发明专利]一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法

权利要求书

1.一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法，包括如下步骤：

在形成有金属塞的晶片表面形成金属层，刻蚀所述金属层，使其形成多个彼此间隔的金属区；

对形成所述金属区的晶片进行平坦化处理；

在经所述平坦化处理的晶片表面形成金属测试层；

局部刻蚀所述金属测试层，使其形成具有多道弯折的蛇形金属测试区，所形成的蛇形金属测试区位于与所述金属区间隔处相对应的位置上，并且使所述蛇形金属测试区的两端分别与未刻蚀的金属测试层连接，形成试样金属测试层；

以在非金属平面表面形成的相同的试样金属测试层作为对照金属测试层，分别检测所述试样金属测试层和所述对照金属测试层的电参数，通过两者电参数值之间的接近程度来评估经所述平坦化处理的晶片的平坦程度，

所述对照金属测试层的形成方法包括：

在相同的形成有金属塞的晶片表面形成相同的金属层；

对形成所述金属层的晶片进行相同的平坦化处理，形成所述非金属平面；

在所述非金属平面的表面形成相同的金属测试层；

局部刻蚀所述金属测试层，使其在与所述试样金属测试层相同的位置上形成相同的蛇形金属测试区，形成对照金属测试层，

所述平坦化处理具体为SOG平坦化，其包括：

在形成所述金属区的晶片表面形成第一介电层；

在所述介电层上旋涂含有介电材料的液态溶剂，经热处理，形成SOG层；

在所述SOG层表面形成第二介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述试样金属测试层的电参数值与所述对照金属测试层的电参数值之间的接近程度＞95％时，确定其平坦程度良好。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属区为条形，并且相邻金属区之间的间距＜0.7μm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属区为条形，并且所述金属区的宽度＜0.7μm。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蛇形金属测试区相邻蛇形段之间的间距＜0.7μm。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蛇形金属测试区蛇形段的宽度＜0.7μm。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述电参数为电阻。

8.一种制备CMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在晶片上形成金属塞；

2)按照权利要求1-7任一所述方法，在所述形成有金属塞的晶片表面形成所述金属区，对形成所述金属区的晶片进行平坦化处理，并对所述平坦化处理后晶片的平坦程度进行检测；

3)选择所测定的试样金属测试层的电参数值与所述对照金属测试层的电参数值之间的接近程度＞95％的晶片，去除其表面的试样金属测试层，并在去除试样金属测试层的晶片表面形成金属塞；

4)重复上述步骤2)-3)1至多次，在形成步骤3)所述金属塞的晶片表面形成末层金属层，刻蚀所述末层金属层，在经刻蚀的末层金属层的表面形成钝化层，制得CMOS器件。