[发明专利]修复异常刚性导柱凸块的方法有效
| 申请号： | 201310322538.X | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103579027A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | V·W·瑞安;H·盖斯勒;D·布罗伊尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及修复异常刚性导柱凸块的方法，一般而言，本文所揭露的标的关于修复可在半导体芯片或晶圆的金属化系统上方发现的异常刚性导柱凸块。除了其它部分，本文所揭露的一种例示性的方法包含，形成导柱凸块在半导体芯片的金属化系统上方，以及在该导柱凸块上形成复数个切口，其中，当该导柱凸块受到一侧向力时，该些复数个切口可被应用于调整该导柱凸块的可挠性。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 异常 刚性 导柱 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成导柱凸块在半导体芯片的金属化系统上方；以及在该导柱凸块上形成复数个切口，其中，当该导柱凸块受到侧向力时，该些复数个切口应用于调整该导柱凸块的可挠性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310322538.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
