[发明专利]一种微米碳化硅粉体表面的化学镀镍方法有效
申请号: | 201310321883.1 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN103451634B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 姚怀;吉宏飞;张志刚;赵玉鹏 | 申请(专利权)人: | 洛阳德欣石化科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34 |
代理公司: | 洛阳市凯旋专利事务所 41112 | 代理人: | 陆君 |
地址: | 471000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种微米碳化硅粉体表面的化学镀镍方法,涉及一种物体表面镀镍方法,所述镀镍方法在开始加入的还原剂的量是仅能够发生反应的最小还原剂量,然后通过滴管进行小流量的、不间断的加入还原剂,使镀液中还原剂的还原性保持恒定,从而达到控制反应速度的目的;本发明通过合理的工艺获取较为稳定的镀镍微米碳化硅粉,有效克服了现有技术导致的镀镍微米碳化硅粉不稳定和镀镍微米碳化硅粉表面裸露问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 微米 碳化硅 体表 化学 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微米碳化硅粉体表面的化学镀镍方法,其特征是:所述镀镍方法在开始加入的还原剂的量是仅能够发生反应的最小还原剂量,然后通过滴管进行小流量的、不间断的加入还原剂,使镀液中还原剂的还原性保持恒定,从而达到控制反应速度的目的,在镀液中主要发生以下反应:Ni2++N2H4 → Ni+N2+H2+2H+ ;所述微米碳化硅粉体表面的化学镀镍方法,具体镀镍步骤:A、利用浓度为60‑70g/L 的氢氧化钠溶液,在50℃的温度下进行微米碳化硅粉“SiC”体表面的除脂除油,然后利用去离子水清洗后再在质量分数为37%的盐酸溶液中粗化10h,所述盐酸溶液与除脂除油后的微米碳化硅粉的质量比为50%,盐酸溶液温度为40℃,结束后用去离子水冲洗微米碳化硅粉“SiC”至中性待用;B、将上一步骤微米碳化硅粉“SiC”用15g/L 的氯化亚锡,60mL/L 的盐酸配制成敏化液,微米碳化硅粉“SiC”体在敏化液中的时间为5‑10min ;活化液配方为氯化钯0.5g/L,利用盐酸将溶液配制成pH 值为3‑4 的活化液进行活化,活化时间为5 分钟;C、配制500mL 的镀液,所述500mL 镀液的化学试剂中包含:30‑35g/L 的六水氯化镍、25‑45g/L 的柠檬酸三纳、0.1g/L 的十二烷基磺酸钠、0.01g/L 的邻苯甲酰磺酰亚胺;把六水氯化镍、柠檬酸三纳分别用100mL 去离子水稀释,十二烷基磺酸钠、邻苯甲酰磺酰亚胺分别用50mL 去离子水稀释,把稀释后的十二烷基磺酸钠溶液加入到稀释后的柠檬酸三纳溶液,然后把六水氯化镍溶液加入上述混合溶液中,再把邻苯甲酰磺酰亚胺溶液加入到上述混合溶液,再添加蒸馏水200mL获取500mL 的镀液;D、在450mL 的镀液中,利用去离子水及3mol/L 的氢氧化钠溶液,把镀液调配成470mL,镀液的pH 值调解至10‑11,加入粗化后的微米碳化硅粉“SiC”体,其中加入量与镀液中镍金属的量比值为3:1 ;E、将上一步骤的镀液利用加热装置温度加热至80‑90℃时,用搅拌子以10‑15 转/ 秒的速度搅拌镀液,然后再以14‑16 mL/h∙L 的速度通过滴定管加入还原剂水合肼30mL,还原2h 后,反应过程结束,通过粉体沉淀、洗涤、分离及烘干获取表面镀镍的微米碳化硅粉体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
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