[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310319658.4 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103715243A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 牧山刚三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部，并且其上形成有开口；以及填充开口的电极，该电极与化合物半导体层接触并且形成在保护绝缘膜上，其中电极与化合物半导体层之间的接触部分的取向状态和电极与保护绝缘膜之间的接触部分的取向状态相同。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，所述保护绝缘膜覆盖所述化合物半导体层的顶部，并且所述保护绝缘膜上形成有开口；以及填充所述开口的电极，所述电极与所述化合物半导体层接触，并且形成在所述保护绝缘膜上，其中所述电极与所述化合物半导体层之间的接触部分的取向状态和所述电极与所述保护绝缘膜之间的接触部分的取向状态相同。
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