[发明专利]存储单元和驱动方法有效
| 申请号： | 201310316491.6 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103594114A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曾根威之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储单元和驱动方法。所述存储单元包括：存储元件，其被构造用来存储电阻状态，所述电阻状态能够在第一状态和第二状态之间改变；以及驱动部。当将所述电阻状态设定为所述第一状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲；当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性和所述第二极性是彼此不同的。根据本发明存储单元和驱动方法，能够增加可重写次数。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其包括：存储元件，所述存储元件被构造用来存储电阻状态，所述电阻状态能够在第一状态与第二状态之间改变；以及驱动部，当将所述电阻状态设定为所述第一状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲，当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性与所述第二极性是彼此不同的。
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