[发明专利]存储单元和驱动方法

权利要求书

1.一种存储单元，其包括：

存储元件，所述存储元件被构造用来存储电阻状态，所述电阻状态能够在第一状态与第二状态之间改变；以及

驱动部，

当将所述电阻状态设定为所述第一状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲，

当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性与所述第二极性是彼此不同的。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，当施加了所述第二脉冲之后不能满足预定条件时，所述驱动部暂时地施加所述第三脉冲。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述第一状态是低电阻状态，并且所述第二状态是高电阻状态。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其中，所述预定条件是：所述存储元件的电阻超过预定阈值。

5.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述驱动部交替地重复所述第三脉冲的施加和所述第二脉冲的施加，直到满足所述预定条件。

6.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述驱动部施加具有所述第一极性的第四脉冲以获得所述存储元件的电导，并且基于所述电导判定是否满足所述预定条件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的存储单元，其中，所述第三脉冲的持续时间短于所述第一脉冲的持续时间。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的存储单元，其中，流过被施加了所述第三脉冲的所述存储元件的电流大于流过被施加了所述第一脉冲的所述存储元件的电流。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的存储单元，其中，

所述存储元件包括：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的存储层，并且

所述驱动部施加所述第一脉冲、所述第二脉冲或所述第三脉冲作为所述第一电极与所述第二电极之间的电位差。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述存储层包括电阻变化层和离子源层。

11.根据权利要求10所述的存储单元，其中，所述离子源层含有一种以上硫族元素和一种以上过渡金属元素。

12.根据权利要求11所述的存储单元，其中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加了预定的所述电位差时，通过将所述过渡金属元素离子化，然后将离子化的所述过渡金属元素从所述离子源层移动至所述电阻变化层，并且形成导电通道，由此所述存储元件变为所述低电阻状态。

13.根据权利要求11所述的存储单元，其中，

所述一种以上硫族元素包括硫、硒或碲，并且

所述一种以上过渡金属元素包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼或钨。

14.根据权利要求10所述的存储单元，其中，所述离子源层包含氧。

15.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述存储层是由过渡金属氧化物制成的。

16.一种驱动方法，其包括：

当将存储元件的能够在第一状态与第二状态之间改变的电阻状态设定为所述第一状态时，向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲；以及

当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性与所述第二极性是彼此不同的。