[发明专利]电容结构的形成方法

摘要

一种电容结构的形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有介质层；采用刻蚀工艺在所述介质层内形成暴露出部分衬底的开口，所述开口包括第一子开口和第二子开口，第一子开口暴露出衬底表面，第二子开口的底部暴露出第一子开口的顶部，且第一子开口的侧壁与第二子开口的侧壁相连接，第一子开口的侧壁相对于衬底表面具有第一角度，第二子开口的侧壁相对于衬底表面具有第二角度，第一角度大于第二角度，所述开口的顶部尺寸大于所述开口的底部尺寸；在所述第一子开口的侧壁表面形成第一电极层；在形成第一电极层之后，在所述第二子开口的侧壁表面以及第一电极层表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成填充满开口的第二电极层。所形成的电容结构性能改善。

主权项

一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层；采用刻蚀工艺在所述介质层内形成暴露出部分衬底的开口，所述开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口暴露出衬底表面，第二子开口的底部暴露出第一子开口，且第一子开口的侧壁与第二子开口的侧壁相连接，所述第一子开口的侧壁相对于衬底表面具有第一角度，所述第二子开口的侧壁相对于衬底表面具有第二角度，第一角度大于第二角度，所述第二子开口的顶部尺寸大于第二子开口的底部尺寸，所述第一子开口的顶部尺寸大于第一子开口的底部尺寸；在介质层表面、第二子开口的侧壁表面、第一子开口的侧壁和底部表面形成第一电极薄膜；采用回刻蚀工艺去除在介质层表面、第二子开口侧壁表面和第一子开口底部表面的第一电极薄膜，在所述第一子开口的侧壁表面形成第一电极层；在所述第二子开口的侧壁表面、第一电极层表面和第一子开口的底部表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成填充满开口的第二电极层。