[发明专利]一种背接触太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310313352.8 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103367550A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 吴坚;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种背接触太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)在半导体基板的表面进行制绒、扩散;然后对基板的边缘和背光面进行刻蚀;(2)制备减反射膜;(3)在半导体基板的背光面设置背光面掺杂物质;在设置背光面掺杂物质时,在基板背光面预留出需要避开开孔的区域;该预留区域覆盖开孔的区域,且其面积与开孔的面积接近;(4)在半导体基板的背光面设置绝缘材料层;(5)打孔;(6)制作贯穿孔电极,制备受光面电极和背光面电极。本发明开发的背接触太阳电池,既满足了背面掺杂面积最大化的要求,又不会限制贯穿孔电极的大小,有效降低了电池的串联电阻,提升光生载流子的收集几率,提高电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种背接触太阳电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在半导体基板的表面进行制绒、扩散;然后对基板的边缘和背光面进行刻蚀;(2) 在半导体基板的受光面制备减反射膜;(3) 在半导体基板的背光面设置背光面掺杂物质,其导电类型与半导体基板的导电类型相同;在设置背光面掺杂物质时,在基板背光面预留出需要避开开孔的区域;该预留区域覆盖开孔的区域,且其面积与开孔的面积接近;(4) 在半导体基板的背光面设置绝缘材料层;该绝缘材料层至少覆盖所述步骤(3)中的预留区域,且其面积大于预留区域的面积;(5) 打孔;(6) 制作贯穿孔电极,贯穿孔电极贯穿所述半导体基板并延伸至绝缘材料层之外,且位于背光面一侧的贯穿孔电极仅与所述绝缘材料层接触;制备受光面电极和背光面电极,即可得到背接触太阳电池。
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