[发明专利]一种微流芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201310310907.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103447101A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘威;刘侃;张南刚;国世上;周鹏飞 | 申请（专利权）人： | 武汉友芝友医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;G01N33/574 |
| 代理公司： | 北京市百伦律师事务所 11433 | 代理人： | 周红力;姜莹 |
| 地址： | 430075 湖北省武汉市东湖开发区高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微流芯片的制备方法，包括如下操作：掩膜制备操作：设计两种掩膜，掩膜包括感光区和非感光区，其中，第一掩膜的感光区包括第一封闭图形及与第一封闭图形间隔一定距离的带状图形，第二掩膜的感光区包括在第一封闭图形的基础上平行扩大至与带状图形相连形成的第二封闭图形以及带状图形；另外还包括第一刻蚀操作和第二刻蚀操作以及键合操作。根据本发明方法得到的芯片能够有效分选肿瘤细胞，并且在捕获肿瘤细胞后对其进行直接分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微流芯片的制备方法，该方法包括如下操作：掩膜制备操作（S1100）：设计两种掩膜，在胶片上制备相应的掩膜，所述掩膜包括感光区和非感光区，其中，第一掩膜的感光区(100)包括第一封闭图形(101)及与所述第一封闭图形（101）间隔一定距离的带状图形(102)，第二掩膜的感光区(200)包括在所述第一封闭图形（101）的基础上平行扩大至与所述带状图形（102）相连形成的第二封闭图形(201)以及所述带状图形(102)；第一刻蚀操作（S1200）：将第一掩膜置于玻璃铬板上，对玻璃铬板进行第一次刻蚀，形成高度为15～25um的凹陷部和沟道；第二刻蚀操作（S1300）：在玻璃铬板上与第一掩膜位置重合处放置第二掩膜后对玻璃铬板进行第二次刻蚀，形成高度为25～35um的凹陷部和沟道以及高度为15～25um的隔挡部，得到基片；键合操作（S1400）：将所述基片与盖片进行键合。
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