[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310306819.6 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332494B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;邓小社;王根毅;周东飞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;吴锦伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比，其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管的耐压可靠性，而且还可以降低该绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，其包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度；形成于所述终端保护区内的第一半导体层的第一主面侧的保护终端；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道，所述保护终端包括形成于所述终端保护区内的第一半导体层的第一主面侧的第二导电类型的场限环区以及位于所述第二导电类型的场限环区上方并与所述第二导电类型的场限环区电性接触的金属场板，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述绝缘栅型晶体管单元为N型沟道MOSFET单元，所述N型沟道MOSFET单元包括：自所述原胞区内的N+型半导体层的第一主面向内有选择的形成的P型基区，其中第一半导体层较所述P型基区深。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310306819.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种捕鱼用LED灯及其应用
- 下一篇：液晶显示装置及其背光模组
- 同类专利
- 专利分类
