[发明专利]硅钨酸-二氧化硅聚偏氟乙烯质子交换膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310303909.X | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103351475A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 郭贵宝;郭小惠;安胜利 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J5/22;C08L27/16;C08K3/34;C08K3/36;H01M8/02 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 014010 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅钨酸-二氧化硅聚偏氟乙烯质子交换膜的制备方法，属于电池电解质材料领域。本发明首先将聚偏氟乙烯溶于二甲基亚砜中制成高分子溶液，涂制成膜，将此膜放入碱液处理后，用去离子水洗净制得改性膜；将上述膜溶于二甲基亚砜和水的混合液中，加入硅化合物和钨酸钠，将其加热，搅拌，形成溶液，将该溶液浇注在聚四氟乙烯玻璃板上并烘干成膜，即得到硅钨酸-二氧化硅聚偏氟乙烯质子交换膜。本发明制备的质子交换膜，不但具有很好的质子导电性，低的甲醇渗透性，较低的溶胀度，而且便于进行大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 硅钨酸 二氧化硅 聚偏氟 乙烯 质子 交换 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅钨酸‑二氧化硅聚偏氟乙烯质子交换膜的制备方法，其特征在于，所述方法为：首先将聚偏氟乙烯溶于二甲基亚砜中制成高分子溶液，涂制成膜，将此膜放入碱液处理后，用去离子水洗净制得改性膜；将上述膜溶于二甲基亚砜和水的混合液中，加入硅化合物和钨酸钠，将其加热，搅拌，形成溶液，将该溶液浇注在聚四氟乙烯玻璃板上并烘干成膜，即得到硅钨酸‑二氧化硅聚偏氟乙烯质子交换膜。
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