[发明专利]一种超导纳米单光子探测芯片及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种超导纳米单光子探测芯片，包括基底，还包括活性层、绝缘层和光子吸收层，所述活性层为至少两根超导纳米线，呈蜿蜒结构设置于所述基底的上表面；所述光子吸收层为碳纳米管层，设置于所述活性层上方；所述绝缘层填充于至少两根超导纳米线之间，同时，填充于所述超导纳米线与所述光子吸收层之间。同时，本发明还提供一种超导纳米单光子探测芯片的制备工艺。本发明大幅度提高探测器芯片的光子吸收概率，将可吸收的光子波段提高到紫外-可见-红外，从而提高探测器的系统效率，使超导纳米单光子探测芯片效率高、工作波段宽、应用范围广。

主权项

一种超导纳米单光子探测芯片，包括基底（1），其特征在于，还包括活性层（2）、绝缘层（3）和光子吸收层（4），所述活性层（2）为至少两根超导纳米线，呈蜿蜒结构设置于所述基底（1）的上表面；所述光子吸收层（4）为厚度大于10纳米的碳纳米管层，设置于所述活性层（2）上方；所述绝缘层（3）填充于至少两根超导纳米线之间，同时，填充于所述超导纳米线与所述光子吸收层（4）之间。