[发明专利]自组装磁存储记忆体及其形成方法

摘要

本发明提供自组装磁存储记忆体，包括记忆体本体，记忆体本体包括圆盘形硬盘衬底，硬盘衬底一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽，轨道凹槽中设有二氧化硅纳米球阵列，二氧化硅纳米球接触空气的表面设有铁铂薄膜，形成铁铂纳米点阵。自组装磁存储记忆体的形成方法，步骤为：采用光刻技术，在在硬盘衬底上蚀刻出环形轨道凹槽；再通过纳米自组装微加工手段，在轨道凹槽内制备二氧化硅纳米球阵列；最后将铁铂薄膜生长于二氧化硅纳米球上，形成规则的铁铂纳米点阵。本发明的自组装磁存储记忆体，最大限度地降低了磁畴间的耦合效应；在满足高磁记录密度条件的同时兼具环境稳定性的优越性。本发明的自组装磁存储记忆体的形成方法,突破传统连续磁存储介质的物理瓶颈。

主权项

自组装磁存储记忆体，其特征在于，包括记忆体本体（1），所述记忆体本体（1）包括圆盘形硬盘衬底（101），所述硬盘衬底（101）一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽（1011），所述轨道凹槽（1011）中设有二氧化硅纳米球（1012）阵列，所述二氧化硅纳米球（1012）接触空气的表面设有铁铂薄膜（1201），形成铁铂纳米点阵。