[发明专利]自组装磁存储记忆体及其形成方法

权利要求书

1.自组装磁存储记忆体，其特征在于，包括记忆体本体（1），所述记忆体本体（1）包括圆盘形硬盘衬底（101），所述硬盘衬底（101）一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽（1011），所述轨道凹槽（1011）中设有二氧化硅纳米球（1012）阵列，所述二氧化硅纳米球（1012）接触空气的表面设有铁铂薄膜（1201），形成铁铂纳米点阵。

2.根据权利要求1所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述铁铂薄膜（1201）在所述二氧化硅纳米球（1012）表面其随纬度梯度形成连续的厚度变化，在所述二氧化硅纳米球（1012）边缘处厚度减小为零，自然地隔离了相邻二氧化硅纳米球（1012）之间的磁耦合关联。

3. 根据权利要求2所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述二氧化硅纳米球（1012）的直径为20nm-50nm。

4. 根据权利要求2所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述铁铂薄膜（1201）最高点的厚度为10nm。

5. 根据权利要求1至4中任一所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述轨道凹槽（1011）的宽度为所述二氧化硅纳米球（1012）直径的整数倍。

6. 根据权利要求5所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，每一个所述铁铂纳米点阵形成一个单磁畴，对应一个独立二进制字节。

7. 自组装磁存储记忆体的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：采用光刻技术，在在硬盘衬底（101）上蚀刻出环形轨道凹槽（1011）；

S2：通过纳米自组装微加工手段，在轨道凹槽（1011）内制备二氧化硅纳米球（1012）阵列；

S3：将铁铂薄膜（1201）生长于所述二氧化硅纳米球（1012）上，形成规则的铁铂纳米点阵。

8. 根据权利要求7所述的自组装磁存储记忆体的形成方法，其特征在于，所述二氧化硅纳米球（1012）通过过四乙氧基硅烷（Si(OC2H5)4）的水解及自然沉降生成。

9. 根据权利要求7所述的自组装磁存储记忆体的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中铁铂薄膜（1201）的生成方式为：在超高真空条件下，铁铂薄膜（1201）通过正常竖直角度的电子束蒸镀生长在二氧化硅纳米球（1012）上。