[发明专利]一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法

摘要

一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。

主权项

一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧层（2），在埋氧层（2）上设有N型阱区（4）及P型阱区（6a），在N型阱区（4）内设有N型缓冲区（5），在N型缓冲区（5）内设有N型漏区（9），在P型阱区（6a）内设有P型接触区（7）和N型源区（8），在N型阱区（4）上设有场氧化层（11），并且，N型漏区（9）的一个边界与场氧化层（11）的一个边界相抵，在场氧化层（11）的与N型源区（8）相邻的边界区域表面设有多晶硅栅（12），且多晶硅栅（12）自场氧化层（11）的边界朝N型源区（8）方向延伸至N型源区（8）的上方，在多晶硅栅（12）的延伸区域下方设有栅氧化层（10），在场氧化层（11）、多晶硅栅（12）、P型阱区（6a）、P型接触区（7）、N型源区（8）、N型缓冲区（5）及N型漏区（9）上设有介质隔离氧化层（13），在P型接触区（7）、N型源区（8）上连接源极金属连线（14），在N型漏区（9）上连接漏极金属连线（15），在多晶硅栅（12）上连接栅极金属连线（16），其特征在于，在场氧化层（11）下方设有由P型阱区单元（6b）构成的P型阱区阵列（17），所述P型阱区阵列（17）位于N型缓冲区（5）与P型阱区（6a）之间，P型阱区单元（6b）的宽度从N型缓冲区（5）到P型阱区（6a）逐渐增大。