[发明专利]一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧层（2），在埋氧层（2）上设有N型阱区（4）及P型阱区（6a），在N型阱区（4）内设有N型缓冲区（5），在N型缓冲区（5）内设有N型漏区（9），在P型阱区（6a）内设有P型接触区（7）和N型源区（8），在N型阱区（4）上设有场氧化层（11），并且，N型漏区（9）的一个边界与场氧化层（11）的一个边界相抵，在场氧化层（11）的与N型源区（8）相邻的边界区域表面设有多晶硅栅（12），且多晶硅栅（12）自场氧化层（11）的边界朝N型源区（8）方向延伸至N型源区（8）的上方，在多晶硅栅（12）的延伸区域下方设有栅氧化层（10），在场氧化层（11）、多晶硅栅（12）、P型阱区（6a）、P型接触区（7）、N型源区（8）、N型缓冲区（5）及N型漏区（9）上设有介质隔离氧化层（13），在P型接触区（7）、N型源区（8）上连接源极金属连线（14），在N型漏区（9）上连接漏极金属连线（15），在多晶硅栅（12）上连接栅极金属连线（16），其特征在于，在场氧化层（11）下方设有由P型阱区单元（6b）构成的P型阱区阵列（17），所述P型阱区阵列（17）位于N型缓冲区（5）与P型阱区（6a）之间，P型阱区单元（6b）的宽度从N型缓冲区（5）到P型阱区（6a）逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，P型阱区单元（6b）的结深在0.5μm以内。

3.根据权利要求1所述的一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，由P型阱区单元（6b）构成的P型阱区阵列（17），在漏极金属连线（15）的正下方。

4.一种权利要求1所述的一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：准备P型硅衬底（1），

第二步：淀积埋氧层（2），再进行外延的生长（3），离子注入磷生成N型阱区（4），离子注入砷和磷形成N型缓冲区（5），退火，

第三步：淀积光刻胶，准备窗口大小从N型缓冲区开始由小到大的掩膜版，光刻、离子注入硼生成P型阱区单元（6b），退火，

第四步：淀积氮化硅、光刻形成有源区，刻蚀氮化硅，接着进行场氧的生长，并进行场注，离子注入氟化硼改变沟道掺杂浓度调整沟道阈值电压，然后生长一层厚度为500?的栅氧化层（10），淀积刻蚀多晶硅形成多晶硅栅和多晶硅场板，离子注入硼形成P型阱区（6a），

第五步：光刻、离子注入磷和砷生成N型源区（8）和N型漏区（9），光刻、离子注入氟化硼生成P型接触区（7），

第六步：淀积介质隔离氧化层（13），接触孔刻蚀，淀积金属铝，刻蚀铝以形成漏极金属连线（15）且漏极金属连线在P型阱区阵列（17）的正上方，刻蚀铝以形成源极金属连线（14）和栅极金属连线（16），最后进行介质钝化处理。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，第三步中淀积的光刻胶的厚度为1.2μm，硼离子的注入能量为50kev，硼离子的注入剂量为8e12cm^-2。