[发明专利]用于栅极边缘二极管泄漏电流减少的袋状反向掺杂

摘要

本发明公开一种用于栅极边缘二极管泄漏电流减少的袋状反向掺杂，及一种制造金属氧化物半导体（MOS）晶体管的方法（300）。该方法包括提供具有掺杂第二掺杂剂类型的衬底表面的衬底和在衬底表面上的栅极堆叠，以及在衬底表面上形成掩模图案，该掩模图案暴露用于离子注入的衬底表面的部分。第一袋状注入（305）通过在衬底表面上的掩模图案使用第二掺杂剂类型。至少一个倒掺杂栅极边缘二极管泄漏电流（GDL）减少袋状注入（306）通过在衬底表面上的掩模图案使用第一掺杂剂类型。退火第一袋状注入剂和倒掺杂GDL减少袋状注入剂。在退火之后，第一袋状注入剂提供第一袋状区域而倒掺杂GDL减少袋状注入剂提供在第一袋状区域上方的重叠，以形成第一袋状区域内的第一反向掺杂袋状部分。

主权项

1.一种制造金属氧化物半导体晶体管即MOS晶体管的方法，所述方法包含：提供具有掺杂第二掺杂剂类型的衬底表面的衬底，在所述衬底表面上方的栅极堆叠，和在所述衬底表面上的掩模图案，其中所述掩模图案和所述栅极堆叠暴露用于离子注入的所述衬底表面的部分；通过所述衬底表面上的所述掩模图案注入使用所述第二掺杂剂类型的第一袋状注入剂，通过所述衬底表面上的所述掩模图案注入使用第一掺杂剂类型的至少一种倒掺杂栅极边缘二极管泄漏电流减少袋状注入剂即倒掺杂GDL减少袋状注入剂，和退火所述第一袋状注入剂和所述倒掺杂GDL减少袋状注入剂，其中在所述退火之后，所述第一袋状注入剂提供第一袋状区域而所述倒掺杂GDL减少袋状注入剂提供与所述第一袋状区域的重叠，以形成在所述第一袋状区域内的第一反向掺杂袋状部分。