[发明专利]沟槽栅MOSFET的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法，在对硬掩膜进行硬掩膜沟槽光刻、刻蚀时，形成的栅区硬掩膜沟槽的宽度大于源区硬掩膜沟槽的宽度的1.5倍，淀积的金属下介质膜的膜厚小于栅区硬掩膜沟槽的宽度的一半并且大于源区硬掩膜沟槽的宽度的一半，且多晶硅回刻蚀为全面刻蚀。本发明的沟槽栅MOSFET制造方法，通过使栅区硬掩膜沟槽的宽度同金属下介质膜的膜厚相匹配，在对多晶硅进行全面刻蚀后，在栅区沟槽中的多晶硅的上方自然形成适当宽度的栅极接触孔，使栅极接触孔刻蚀实现自对准，省掉了多晶硅光刻，最低只需要进行三层光刻，从而缩短工艺流程，降低工艺成本。

主权项

一种沟槽栅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅衬底上形成漏区，在漏区上形成漂移区，在漂移区上进行硬掩膜淀积；二.在硬掩膜上进行硬掩膜沟槽光刻，刻蚀去除硬掩膜沟槽处的硬掩膜，形成源区硬掩膜沟槽及栅区硬掩膜沟槽；栅区硬掩膜沟槽的宽度大于源区硬掩膜沟槽的宽度的1.5倍；三.在硅片上进行沟道区掺杂离子自对准注入并推进，在源区硬掩膜沟槽及栅区硬掩膜沟槽处的漂移区上形成沟道区；四.在硅片上生长侧墙氧化膜，然后刻蚀侧墙氧化膜，在源区硬掩膜沟槽及栅区硬掩膜沟槽处的硬掩膜的侧面形成沟槽侧墙；五.刻蚀去除沟槽侧墙间的漂移区上部及沟道区，形成源区沟槽及栅区沟槽；六.在源区沟槽及栅区沟槽的沟槽壁形成栅氧；七.在硅片上淀积多晶硅；八.进行多晶硅全面回刻蚀，保留源区沟槽内的多晶硅及栅区沟槽内的多晶硅，去除其它多晶硅；九.去除源区沟槽两侧的沟槽侧墙、栅区沟槽两侧的沟槽侧墙；十.进行源区掺杂离子自对准注入、退火；十一.在硅片上淀积金属下介质膜，位于硬掩膜上方的金属下介质膜的膜厚小于栅区硬掩膜沟槽的宽度的一半，并且大于源区硬掩膜沟槽的宽度的一半；十二.进行金属下介质膜的全面回刻蚀，去除硬掩膜上的金属下介质膜，并去除栅区沟槽中的多晶硅的上方的金属下介质膜，从而在栅区沟槽中的多晶硅的上方形成栅极接触孔；十三.将栅区通过光刻胶保护，进行源区接触孔硬掩膜自对准刻蚀，去除源区处的硬掩膜，保留栅区及栅区同源区之间的硬掩膜；十四.进行后序工艺，形成源极及栅极。