[发明专利]一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，包括制绒、扩散、氧化、刻边、去除PSG、PECVD处理、丝网印刷及烧结等步骤，完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。与现有技术相比，本发明的氧化工艺对硅片质量及其他工艺基本无影响，与其余工艺容易进行匹配，应用氧化工艺后，Voc可以提高4～6mV，电池效率绝对值可以提高0.3～0.5％，对于单晶硅太阳电池，最高效率可以达到1926％。

主权项

一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)制绒：对晶体硅进行制绒处理，晶体硅的腐蚀厚度为4～6μm；(2)扩散：对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为65～80Ω；(3)氧化：采用管式密封炉对晶体硅进行氧化处理，控制得到的氧化膜厚度为1～5nm；(4)刻边：采用等离子刻边或链式刻边设备对氧化后的晶体硅刻边；(5)去除PSG：采用槽式或链式去除PSG设备除去晶体硅表面的硅磷玻璃；(6)PECVD：采用管式或链式PECVD设备进行等离子体增强化学气相沉积，沉积得到的减反射膜厚度为75～85nm；(7)丝网印刷及烧结：采用产线的一次印刷工艺进行丝网印刷得到栅线并烧结，完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。