[发明专利]一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)制绒：对晶体硅进行制绒处理，晶体硅的腐蚀厚度为4～6μm；

(2)扩散：对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为65～80Ω；

(3)氧化：采用管式密封炉对晶体硅进行氧化处理，控制得到的氧化膜厚度为1～5nm；

(4)刻边：采用等离子刻边或链式刻边设备对氧化后的晶体硅刻边；

(5)去除PSG：采用槽式或链式去除PSG设备除去晶体硅表面的硅磷玻璃；

(6)PECVD：采用管式或链式PECVD设备进行等离子体增强化学气相沉积，沉积得到的减反射膜厚度为75～85nm；

(7)丝网印刷及烧结：采用产线的一次印刷工艺进行丝网印刷得到栅线并烧结，完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，所述的晶体硅太阳电池为单晶硅太阳能电池，采用碱性溶液进行制绒处理。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，所述的晶体硅太阳电池为多晶硅太阳能电池，采用酸性溶液进行制绒处理。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，氧化处理采用的气氛为N₂和O₂组成的混合气体。

5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，所述的N₂和O₂的体积比为2.5∶1～10∶1。

6.根据权利要求1或4或5中任一项所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，氧化处理的时间为10min～60min，温度为500℃～750℃。

7.根据权利要求1或4或5中任一项所述的一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法，其特征在于，氧化处理为对晶体硅进行单面氧化或双面氧化。