[发明专利]控制刷新周期的半导体存储器件、存储系统及其操作方法有效
申请号: | 201310293461.8 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103544988B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 金中植;金澈;申相浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列,并将第二刷新地址序列应用到单元阵列,使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。 | ||
搜索关键词: | 控制 刷新 周期 半导体 存储 器件 存储系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:单元阵列;以及刷新控制器,其被耦合到单元阵列,并被配置为基于关于单元阵列的地址信息,在第一刷新地址序列中插入附加的插入刷新地址,以在固定的刷新率产生第二刷新地址序列,并将第二刷新地址序列应用到单元阵列,其中刷新控制器还包括:地址产生器,其被配置为产生插入刷新地址;以及定时检测器,其被配置为通过对在第一刷新地址序列中执行的多个刷新操作计数来检测用于执行插入刷新的定时,在第一刷新地址序列中指定用于周期插入连续的插入刷新地址中的一部分的附加的序列位置,并且响应于指定的附加的序列位置控制地址产生器,其中,指定的附加的序列位置在第二刷新地址序列中以一致的间隔分布。
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