[发明专利]一种用低温裂片硅晶圆制备背照射CMOS图像传感器的方法

摘要

本发明涉及一种用低温裂片硅晶圆制备背照射CMOS图像传感器的方法，通过在晶圆衬底上表面沉积一收集层，再于该收集层上表面生长一外延层后，对收集层进行离子注入工艺，在进行完后续的CMOS图像传感器工艺后，形成具有CMOS图像传感器单元的半导体结构，并且将该半导体结构与一键合单元进行键合操作，而后进行退火工艺，从而使得收集层迅速崩裂，克服了现有技术中由于高温退火使得器件性能失效的问题，也克服了现有技术中由于采用长时间背面减薄工艺，导致器件生产成本巨大的问题，从而既降低器件的生产成本，又能保证器件的良好性能，同时剥离出来的晶圆还可以继续使用，进一步的增大了晶圆衬底的使用效率，降低了器件的生产成本。

主权项

一种用低温裂片硅晶圆制备背照式CMOS图像传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆衬底；于所述晶圆衬底上沉积一收集层；于所述收集层上生长一外延层后，对所述外延层和所述收集层进行离子注入工艺；继续CMOS图像传感器的制备工艺，形成具有CMOS图像传感器单元的半导体结构后，将该半导体结构与一键合单元进行键合操作；继续退火工艺，以使所述晶圆衬底剥离；对所述外延层进行平坦化工艺，继续后期处理操作，完成背照式CMOS图像传感器的制备。