[发明专利]低介电常数介质薄膜处理方法及半导体互连结构制作方法在审
| 申请号： | 201310287657.6 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282621A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种低介电常数介质薄膜的处理方法及一种半导体互连结构的制作方法。该低介电常数介质薄膜的处理方法利用非质子溶剂来处理介电常数为K1的低介电常数介质薄膜，处理后的低介电常数介质薄膜介电常数变更为K2，且K2小于K1。利用非质子溶剂去除低介电常数介质薄膜中的水分和氟化物，从而降低了低介电常数介质薄膜的介电常数。该处理方法简单易行，对半导体器件无损伤，逆转了现有制备工艺对低介电常数介质薄膜的破坏性，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介质 薄膜 处理 方法 半导体 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数介质薄膜的处理方法，其特征在于，用非质子溶剂处理介电常数为K1的低介电常数介质薄膜，处理后所述低介电常数介质薄膜的介电常数为K2，所述K2小于K1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
