[发明专利]一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法无效
| 申请号： | 201310287298.4 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103346217A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李永 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法，该LED发光二极管外延片结构从下向上的顺序为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层；其中多量子阱发光层分三部分，第一部分量子阱垒层采用非掺杂铝组分方式生长；第二部分量子阱垒层采用掺杂10%铝组分方式生长，总厚度保持不变；第三部分量子阱垒层同样采取掺杂5%-8%铝组分方式生长，总厚度保持不变。本发明方法能够获得高发光强度的GaN系发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 发光二极管 亮度 量子 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法，该LED发光二极管的外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其特征在于，其中多量子阱发光层分三部分，生长压力采用高压大于200Torr，并且该三部分阱层都采用类梯形结构方式生长，第一部分量子阱的垒层采用非掺杂铝组分方式生长；第二部分量子阱的垒层采用掺杂10%摩尔含量的铝组分方式生长，总厚度保持不变；第三部分是最后单独的一个量子阱垒层，同样采取掺杂5%‑8%摩尔含量的铝组分方式生长，总厚度保持不变。
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