[发明专利]待测样品的制备及缺陷的分析方法在审
| 申请号： | 201310284583.0 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104280276A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 何明;郭炜;王潇;李爱民;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种待测样品的制备及缺陷的分析方法，在原始样品的表面形成一层金属层，在对待测样品进行第一次检测时可以保护待测样品，完全避免了第一次检测对着色处理的不良影响，避免形成印记，在着色处理之后，进行第二次检测时能够消除对缺陷分析的困扰，确保了缺陷分析结果的可靠性，从而为工艺改善提供正确的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 样品 制备 缺陷 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种待测样品的制备，包括步骤：提供用于检测有源区是否发生晶格缺陷的原始样品；在所述原始样品的表面形成金属层，以得到待测样品。
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