[发明专利]待测样品的制备及缺陷的分析方法在审
| 申请号： | 201310284583.0 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104280276A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 何明;郭炜;王潇;李爱民;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 样品 制备 缺陷 分析 方法 | ||
1.一种待测样品的制备，包括步骤：
提供用于检测有源区是否发生晶格缺陷的原始样品；
在所述原始样品的表面形成金属层，以得到待测样品。
2.如权利要求1所述的待测样品的制备，其特征在于，所述原始样品包括半导体衬底以及所述有源区。
3.如权利要求1所述的待测样品的制备，其特征在于，所述金属层的材质为铂或金。
4.如权利要求3所述的待测样品的制备，其特征在于，所述金属层的厚度范围是15nm～30nm。
5.如权利要求4所述的待测样品的制备，其特征在于，所述金属层采用物理溅射工艺形成。
6.一种采用如权利要求1至5中任一所述的样品的制备所制备的待测样品。
7.一种缺陷的分析方法，包括步骤：
提供权利要求6所述待测样品；
对所述待测样品的表面进行第一次检测；
对所述待测样品进行着色处理；
对所述待测样品的表面进行第二次检测。
8.如权利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，使用电子扫描法对所述待测样品的表面进行第一次检测和第二次检测。
9.如权利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，所述着色处理是采用酸对所述待测样品浸泡。
10.如权利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，在着色处理之后，进行第二次检测之前，使用超声波震荡清洗去除所述金属层。
11.如权利要求9所述的缺陷的分析方法，其特征在于，所述超声波震荡清洗时间范围是3分钟～5分钟。
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