[发明专利]在炭材料表面制备碳化硅/二硅化钼复合涂层的方法无效

专利信息
申请号: 201310282987.6 申请日: 2013-07-07
公开(公告)号: CN103387422A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 彭可;周文艳;易茂中;邓雄;冉丽萍;葛毅成 申请(专利权)人: 中南大学;湖南博云新材料股份有限公司
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87
代理公司: 中南大学专利中心 43200 代理人: 黄键
地址: 410083*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种在炭材料表面制备碳化硅/二硅化钼复合涂层的方法,包括:A.将MoO3、正钼酸铵、仲钼酸铵、二钼酸铵、四钼酸铵的一种或多种与碱金属氯化物的一种或多种混合均匀,其中包含的Mo原子与混合盐的质量百分比为10~40%;B.将炭/炭复合材料或石墨包埋在步骤(1)的混合盐中,置于密封的坩埚内,于800~1100℃保温0.5~5小时,随炉冷却至室温;C.将Si粉、NaF和碱金属氯化物的一种或多种混合均匀;D.将步骤B中得到的炭材料样品包埋在步骤C的混合盐渗料中,于900~1100℃保温0.5~4小时,随炉冷却至室温。本发明方法可使材料具有良好的高温抗氧化性能和力学性能。
搜索关键词: 材料 表面 制备 碳化硅 二硅化钼 复合 涂层 方法
【主权项】:
一种在炭材料表面制备碳化硅/二硅化钼复合涂层的方法,其特征是,包括:A.将MoO3、正钼酸铵、仲钼酸铵、二钼酸铵、四钼酸铵的一种或多种与碱金属氯化物的一种或多种混合均匀,其中包含的Mo原子与混合盐的质量百分比为10~40%;B.将炭/炭复合材料或石墨包埋在步骤(1)的混合盐中,置于密封的坩埚内,在真空环境或惰性气体保护下,于800~1100℃保温0.5~5小时,随炉冷却至室温,取出样品后水洗干燥,获得表面具有Mo2C涂层的炭材料;C.将Si粉、NaF和碱金属氯化物的一种或多种混合均匀,其中Si粉的质量百分含量为2~20%,NaF的质量百分含量为2~20%,碱金属氯化物的含量为余量;D.将步骤B中得到的表面包覆Mo2C层的炭材料样品包埋在步骤C的混合盐渗料中,置于密封的石墨坩埚内,在真空环境或惰性气体保护下,于900~1100℃保温0.5~4小时,随炉冷却至室温,取出后水洗,干燥。
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