[发明专利]一种半导体屏蔽电缆无效
| 申请号： | 201310278442.8 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103426537A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 许义彬 | 申请（专利权）人： | 晶锋集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B7/17 | 分类号： | H01B7/17;H01B7/02 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 239300 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体屏蔽电缆，包括铝合金导体线材，所述铝合金的成分按质量百分比为：Cu 0.5-1.2%，Ce 0.01-0.02%，Zn 0.03-0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层喷镀Te的纳米碳纤维网；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。首先，铝合金导体表面经过去污抛光处理，减小了导体表面的气隙；另外，纳米ZnS薄膜以及纳米碳纤维网的添加，使得各层之间的接触更加的紧密，屏蔽性能大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 屏蔽 电缆 | ||
【主权项】：
一种半导体屏蔽电缆，包括导体，其特征在于，所述导体为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu0.5‑1.2%，Ce0.01‑0.02%，Zn0.03‑0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的厚度为0.2‑0.3mm，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层纳米碳纤维网，所述纳米碳纤维网上喷镀Te层；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。
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